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感應(yīng)耦合電漿蝕刻

簡要描述：感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子。

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時間：2024-07-10
  • 訪  問  量：688

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

感應(yīng)耦合電漿蝕刻（ICP）蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子。

高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率?？梢愿鶕?jù)製程要求通過調(diào)節(jié)來自射頻發(fā)生器的直流偏壓來控制離子和電子能量。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。

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感應(yīng)耦合電漿蝕刻參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。

  • 光阻蝕刻。

  • III-V族化合物半導(dǎo)體（GaAsn，InP，GaN）蝕刻。

  • 微機電系統(tǒng)。

  • 金屬與矽蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。



配置和優(yōu)點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 具有高均勻度氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至300°C或冷卻至-20°C。

  • 使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達2000W，可增強低溫下的沉積。

  • 低損壞，高速率處理，高深寬比。

  • 基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。

  • 均勻的氣體擴散，具有優(yōu)化的氣體分佈。

  • 靜電吸盤。

  • 蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。





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